Current form of silicon nitride substrate IGBT high thermal conductivity
IGBT高导热氮化硅基板目前的形式
? ? 目前国内IGBT用高导热率
氮化硅基板目前还是以进口为主,特别是高铁上的大功率器件控制模块;国内的陶瓷基板覆铜技术不能达到对覆铜板的严格考核,列如冷然循环次数。目前,国际上都采用的活化金属键合(AMB)技术进行覆铜,比直接覆铜(DBC)具有更高的结合强度和冷热循环特性。
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氮化硅基板电容压力传感器在各种汽车上用量巨大,市场达近百亿,但是目前氮化硅基板主要依赖进口,国内的氮化硅基板在材料的弹性模量、弹性变形循环次数、使用寿命和可靠性凤方面还有差距,尚未进入商业化实际应用。
? ? 用到的透明和透红线陶瓷材料,如果氧化钇、氧化镁、阿隆、镁铝尖晶石陶瓷以及具有激光特性透明陶瓷。目前我们的技术还限于制备有限的尺寸,对于国际上已经达到半米大尺寸透明陶瓷材料我们还很困难,无论在工艺技术和装备上均有差距。