经过长时间研发,对材料组分设计、显微结构调控、成型及烧结工艺等各环节控制和优化,突破了大尺寸高热导氮化硅基板研制关键技术,成功研制了高稳定性高热导氮化硅基板。目前氮化硅基板平均热导率为95W/(m·k),可达到120W/(m·k),尺寸达到120×120mm2,厚度0.32mm,且外形尺寸能根据实际需求调整。同时实现了氮化硅基板的覆铜,打通了高热导氮化硅基板批量化生产的工艺路线。目前商用氮化硅陶瓷基片的热导率一般在80~90W/(m·k),因此产品的性能指标能够满足很多人的需求。高热导氮化硅基板的研究成功,将为国产大功率半导体器件,特别是IGBT(绝缘栅双极型晶体管)的生产和研发提供有力支撑,预计将具有很强的经济效益和社会效益。
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